第五章 承上启下的发现 (第4/4页)

  从1960年到2010年左右，基本的平面(2D)MOSFET结构一直保持不变，直到进一步增加晶体管密度和降低器件功耗变得不可能。

    胡正明在加州大学伯克利分校的实验室早在1995年就看到了这一点。

    FinFET作为第一个3DMOSFET，将扁平而宽的晶体管结构变为高而窄的晶体管结构。好处是在更小的占地面积内获得更好的性能，就像在拥挤的城市中多层建筑相对于单层建筑的优势一样。

    FinFET也就是所谓的薄体（thin-body）MOSFET，这一概念继续指导新设备的开发。

    它源于这样一种认识，即电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏，因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制。

    FinFET牢记这种薄体概念。该器件的主体是垂直的硅鳍片，被氧化物绝缘体和栅极金属覆盖，在强栅极控制范围之外没有留下任何硅。FinFET将漏电流降低了几个数量级，并降低了晶体管工作电压。它还指出了进一步改进的路径：进一步降低厚度。

    而电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏，因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制，这一概念，正是MOSFET进行互连建模在实验室进行复现后发现的。

    周新不可能告诉胡正明，这是你自己发现的。

    不过由于周新对于胡正明最重要的论文，都做过精读，对于当时是如何思考，有自己的分析。

    这些分析和二十年后的老胡交流过程中，也获得了对方的认可。乌鸦一号的千禧年半导体生存指南